이달 초 삼성전자와 TSMC가 ASML의 최신 노광장비를 쓰겠다고 공식 약속했을 때, 정작 그 장비를 이미 돌리고 있던 회사는 따로 있었어. 인텔 파운드리 사업부야. 같은 주 SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography 콘퍼런스에서 인텔 파운드리와 ASML은 High NA EUV 리소그래피의 양산 성과를 공개했어.1

숫자부터 보자. 인텔 파운드리는 초기 장비 인증·테스트, 연구개발, 그리고 코드명 팬서레이크로 불리는 인텔 코어 울트라 시리즈 3 프로세서 일부 레이어 양산까지 합쳐 지금까지 웨이퍼 100만 장 이상을 High NA로 처리했어.1 오버레이(패턴이 정확한 위치에 겹쳐 찍히는 정밀도)와 처리량, 가동률 모두 기대치를 만족하고 있다고 밝혔어.1

High NA가 실제로 통했다는 증거

성능 얘기도 있어. 인텔 18A 공정에서 일부 레이어에 High NA를 적용한 제품은 기존 NXE 장비(개구수 0.33짜리 EUV)로 패터닝한 레이어와 동등하거나 그 이상의 성능을 낸다고 밝혔어.1 High NA는 렌즈가 빛을 모으는 각도(개구수)를 키워 더 작고 정교한 회로 패턴을 찍을 수 있게 한 EUV 장비의 최신 버전이야.

ASML CEO 크리스토프 푸케는 인텔 파운드리를 “업계의 High NA 도입을 이끈 핵심 리더 중 하나”라고 불렀어.1 2024년 첫 상용 EXE 장비를 설치한 것부터 최신 세대 장비 인증, 그리고 High NA로 만든 첫 고성능 로직 제품 출하까지 인텔이 앞서 왔다는 거야.1

마스크가 발목을 잡는다

문제는 마스크야. 지금 업계가 쓰는 노광 마스크(포토마스크)는 표준 6인치 규격인데, 인텔 파운드리는 3년 넘게 더 큰 마스크 포맷으로 옮기는 이니셔티브를 주도해 왔어. ASML, 마스크 제조사, 자동화 공급사, EDA 파트너, 소재 공급사, 반도체 제조사와 함께 표준·인프라·기술을 다듬는 작업이야.1

당장 쓸 다리도 마련했어. 이번 SPIE에서 두 회사가 발표한 “reticle stitching”(레티클 이어붙이기)은 지금 쓰는 표준 6인치 마스크로도 High NA EUV를 쓸 수 있게 해주는 기술이야.1 — 삼성전자와 TSMC도 12인치 포토마스크로 전환하는 이니셔티브에 참여하겠다고 밝힌 적 있어.

인텔 EVP 나가 찬드라세카란은 이 전략을 이렇게 정리했어. “우리 리소그래피 역량에서 인텔 파운드리는 이어붙이기가 있든 없든 6인치 마스크에서 High NA를 단기간에 상용화하는 데 집중하면서, 동시에 6x12인치 마스크로의 전환도 준비하고 있다.”1

다음에 볼 것

이 내용은 SPIE 콘퍼런스 발표로도 이어졌어. ASML의 얀 반 스호트는 “절반 시야 이어붙이기를 지원하는 스캐너·마스크 요건”을, 곧이어 같은 세션에서 인텔 파운드리의 킴벌리 피어스는 “제조를 위한 High NA EUV 이어붙이기”를 발표했어.1

삼성전자와 TSMC가 이제 막 이 장비를 쓰겠다고 약속한 것과 비교하면, 인텔은 이미 100만 장 넘는 웨이퍼를 그 장비로 찍었고 다음 단계인 마스크 표준 전환에도 먼저 손을 대고 있는 셈이야.

각주

  1. Intel, 「Intel Foundry and ASML Collaborate to Accelerate Industry Readiness for High NA EUV」(2026-09-08) 보도자료 ↩︎ ↩︎2 ↩︎3 ↩︎4 ↩︎5 ↩︎6 ↩︎7 ↩︎8 ↩︎9 ↩︎10